報告題目：相變存內(nèi)計算材料與器件

報 告 人: 王疆靖  教授         

報告時間：2025年09月13日  16:00

報告地點：至誠會議室B-204

科技處 材料科學(xué)與工程學(xué)院（文物保護科學(xué)與技術(shù)學(xué)院）

2025年9月12日

參加人員： 材料科學(xué)與工程學(xué)院相關(guān)教師、研究生、其他學(xué)院相關(guān)教師及研究生

報告人簡介：

王疆靖，西安交通大學(xué)教授，國家級青年人才，德國洪堡學(xué)者，華為“思源學(xué)者”。主要研究方向為相變存儲/存算一體芯片材料與器件，在相變材料的合成與表征、存儲器件的制備與失效分析方面做出了原創(chuàng)性工作，已發(fā)表學(xué)術(shù)論文40篇，其中以第一/共一/通訊作者在Science、Nat Mater、Nat Commun、Adv Sci等國際頂尖期刊發(fā)表論文20余篇，授權(quán)發(fā)明專利7項。主持國家重大專項課題、國家自然科學(xué)基金及華為公司橫向項目等，作為骨干成員參與國家重點研發(fā)計劃項目等。